2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

3 光・フォトニクス » 3.13 半導体光デバイス

[20p-E204-1~11] 3.13 半導体光デバイス

2019年9月20日(金) 13:45 〜 17:00 E204 (E204)

沼居 貴陽(立命館大)

14:00 〜 14:15

[20p-E204-2] 分子線エピタキシー法で成長したGaAs系バイセクションレーザの設計と作製

石川 裕介1、荒川 亮太1、神林 大介1、成塚 重弥1、今井 大地1、宮嶋 孝夫1 (1.名城大理工)

キーワード:半導体レーザ、ガリウムひ素、バイセクション

生体を観察可能なバイオイメージングを臨床現場で利用するには、小型・低消費電力の超短パルス半導体レーザが必要とされる。その試みは報告されているが、更なる高出力化が必要である。我々はGaN系超短パルスレーザを作製し、そのピークパワーとして600W以上を実現した。ここで得られた技術を利用したバイオイメージング用GaAs系超短パルスレーザ実現のため、GaAs系バイセクションレーザの設計と試作を行った。