講演情報

Tweet

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[20p-E303-1~14] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2019年9月20日(金) 13:45 〜 17:45 E303 (E303)

鵜殿治彦(茨城大)、寺井慶和(九工大)、原康祐(山梨大)

17:00 〜 17:15

[20p-E303-12] MBE成長時の基板温度がB-doped BaSi₂膜の特性に与える影響

〇杉山周¹、山下雄大¹、Xu Zhihao¹、都甲薫¹、末益崇¹ (1.筑波大)

キーワード：半導体