[20p-E310-1~21] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [20p-E310-12] Fabrication of high photon extraction efficiency devices for GaN quantum dots

〇Tomoyuki Aoki¹, Kang Gao², Munetaka Arita², Yasuhiko Arakawa², Mark Holmes¹ (1.IIS, Univ. of Tokyo, 2.NanoQuine)

Keywords:nitride semiconductor

半導体量子ドットを用いた単一光子源の実現を考えるうえで、半導体量子ドットから放出された光子は、その多くが半導体の外に出ずに内部で反射されてしまい、取り出すのが困難であるという問題がある。そこで我々は、GaN量子ドットからの光子取り出し効率を高めるために、​Bullseye構造と呼ばれる構造を作製し、評価・検討したのでその結果について報告する。