[20p-E310-1~21] 15.4 III-V-group nitride crystals

[20p-E310-18] Investigation of LEDs on relaxed thick InGaN

〇Yuki Inomata¹, Rei Kawamura¹, Tomoya Fujii², Naoya Iwasaki², Narihito Okada¹, Kazuyuki Tadatomo¹ (1.Grad. School of Sci. & Eng. for Innovation, Yamaguchi Univ., 2.Department of Eng., Yamaguchi Univ.)

Keywords:InGaN

可視光InGaN-LEDの下地層には二元化合物半導体のGaNが一般的に用いられている。しかし、発光波長が長波長になるにつれ、発光層のInGaNとGaNとの格子定数差が大きくなりInGaN層のミスフィット転位の増加や量子閉じ込めシュタルク効果（QCSE）の影響の増加により、LEDの発光効率は低下する。高品質なInGaN下地層が実現できれば、上記の格子定数差は小さくなり、ミスフィット転位の減少およびQCSEの低減等が期待される。更に様々なアプリケーションへの応用が期待できる。我々はファセット成長を使ったInGaN下地層の高品質化の検討を行っているが、今回緩和した厚膜InGaN下地層（InGaNテンプレート基板）上にLEDの作製を試みたので報告する。