The 80th JSAP Autumn Meeting 2019

Presentation information

Oral presentation

15 Crystal Engineering » 15.4 III-V-group nitride crystals

[20p-E310-1~21] 15.4 III-V-group nitride crystals

Fri. Sep 20, 2019 1:15 PM - 7:00 PM E310 (E310)

Narihito Okada(Yamaguchi Univ.), Yoshio Honda(Nagoya Univ.), Tomoyuki Tanikawa(Osaka Univ.)

6:00 PM - 6:15 PM

[20p-E310-18] Investigation of LEDs on relaxed thick InGaN

Yuki Inomata1, Rei Kawamura1, Tomoya Fujii2, Naoya Iwasaki2, Narihito Okada1, Kazuyuki Tadatomo1 (1.Grad. School of Sci. & Eng. for Innovation, Yamaguchi Univ., 2.Department of Eng., Yamaguchi Univ.)

Keywords:InGaN

可視光InGaN-LEDの下地層には二元化合物半導体のGaNが一般的に用いられている。しかし、発光波長が長波長になるにつれ、発光層のInGaNとGaNとの格子定数差が大きくなりInGaN層のミスフィット転位の増加や量子閉じ込めシュタルク効果(QCSE)の影響の増加により、LEDの発光効率は低下する。高品質なInGaN下地層が実現できれば、上記の格子定数差は小さくなり、ミスフィット転位の減少およびQCSEの低減等が期待される。更に様々なアプリケーションへの応用が期待できる。我々はファセット成長を使ったInGaN下地層の高品質化の検討を行っているが、今回緩和した厚膜InGaN下地層(InGaNテンプレート基板)上にLEDの作製を試みたので報告する。