[20p-E310-1~21] 15.4 III-V族窒化物結晶

[20p-E310-20] GaNに格子整合する組成近傍の四元混晶AlGaInNエピタキシャル膜の成長とその結晶評価（２）

〇原田 紘希¹、三好 実人¹、江川 孝志¹、竹内 哲也² (1.名工大、2.名城大)

キーワード：MOCVD、AlGaInN

これまでに得られた知見として、面内圧縮応力下で厚膜成長した場合、AlInN膜では顕著な表面劣化が起こるのに対し、AlGaInN膜では比較的平坦な表面を維持したまま成長できる。その一方で、AlGaInN膜では、AlInN膜に匹敵する低い屈折率が得られていないのが実状である。本研究では、AlGaInN膜のさらなる屈折率低下を図るため、前回報告した面内圧縮歪みを有するAl_0.532Ga_0.360In_0.108Nエピ膜よりもAlN/GaNモル比を増加させた混晶組成のAlGaInN膜の成長を試み、その特性評価を行ったので報告する。