[20p-E311-1~17] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[20p-E311-12] 通電と紫外線照射による4H-SiCエピ層中のSSFの拡張

〇高野 和美¹、大崎 理彦¹、五十嵐 靖行¹ (1.アイテス)

キーワード：シリコンカーバイド、ショックレイ型積層欠陥、欠陥拡張

4H-SiC MOSFETは、内在ボディダイオードに順方向通電されると、エピ層中にショックレイ型積層欠陥 (SSF) が拡張する。このSSFは紫外線 (UV) に照射されても拡張することが知られている。市販のSiC MOSFETモジュールを用いて、通電によるSSFの拡張とUV照射によるそれについて、その類似と相違を調査した。エピ層内部または表面まで伸張したBPDを起点とするSSFは両者とも直角三角形に拡張したが、基板近傍に存在するBPDからの拡張は、両者で異なる形状を示した。