2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.6 IV族系化合物(SiC)

[20p-E311-1~17] 15.6 IV族系化合物(SiC)

2019年9月20日(金) 13:30 〜 18:15 E311 (E311)

矢野 裕司(筑波大)、田中 保宣(産総研)

15:45 〜 16:00

[20p-E311-9] 高温アニールおよび熱酸化処理を施した高純度半絶縁性4H-SiC基板の電気的性質の評価

具 燦淳1、金子 光顕1、木本 恒暢1 (1.京大院工)

キーワード:半絶縁性SiC、真性点欠陥、抵抗率