[20p-E312-1~14] 6.2 Carbon-based thin films

[20p-E312-12] Boron incorporation in homoepitaxial CVD diamond grown on misoriented {111} substrates

〇(PC)Takehiro Shimaoka¹, Kimiyoshi Ichikawa¹, Satoshi Koizumi¹ (1.NIMS)

Keywords:doping, homoepitaxial growth

{111}ダイヤモンドのホウ素取り込みの基板オフ角依存性を調査した。オフ角0－5度の5つの領域を持つ基板上にホウ素ドープダイヤモンドをホモエピタキシャル成長し、ホウ素濃度と成長速度を評価した。成長速度はオフ角低下とともに300nm/hから70nm/hに減少した。エピ層中のホウ素濃度はオフ角低下に伴いおよそ2×10¹⁸ cm^-3から8×10¹⁸ cm^-3と最大で3倍程度増加した。