2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

16 非晶質・微結晶 » 16.3 シリコン系太陽電池

[20p-E314-1~14] 16.3 シリコン系太陽電池

2019年9月20日(金) 13:30 〜 17:15 E314 (E314)

松本 光弘(パナソニック)、石川 亮佑(東京都市大)

13:30 〜 13:45

[20p-E314-1] DLTS法によるRPD誘起欠陥の欠陥特性評価

〇(M2)原 知彦1、脇田 陸1、磯貝 勇樹1、神岡 武文1,2、大下 祥雄1 (1.豊田工大、2.明治大)

キーワード:プラズマダメージ、過渡応答分光法、インジウム酸化物

応性プラズマ堆積(RPD)法による成膜を経た酸化膜付きSi基板についてDLTS法を使用し、信号のキャリア注入パルス幅依存性について調べ、捕獲の時定数の違いから、欠陥特性を評価した。キャリアパルス幅を10msから3μsに減少させると、電子トラップに対応した信号ピークは260Kから250K付近へとシフトした。本結果から2種類以上の欠陥がRPDプロセスによって導入されていることを示唆している。