[20p-E317-1~9] 9.3 Nanoelectronics

△ [20p-E317-5] Resistance Switching Effect in Self-organized Fullerene Nanowire

〇Yukiya Umeta^1,2, Shushu Zheng², Yasuhisa Naitohu³, Xing Lu⁴, Hiroshi Suga^1,2, Kazuhito Tsukagoshi² (1.CIT, 2.WPI-MANA NIMS, 3.AIST, 4.HUST)

Keywords:fullerene, self-organized, nanomaterial

フラーレン分子を自己組織化により細線形状にすることで素子の水平方向への変化とデバイス応用の可能性に着目し，フラーレンナノ材料を用いた薄膜エレクトロニクス素子の作製及びその電気特性評価を行った．結果，窒化ルテチウム内包C80フラーレンからなるナノ細線を用いてスイッチングデバイスを作製し，高いON/OFF比が得られることを確認した。以上から，フラーレンナノ材料を用いた固体素子化への可能性が探索可能となった．