[20p-PB1-1~13] 6.5 Surface Physics, Vacuum

[20p-PB1-3] The analysis of C-doped GaN crystal structure using angle resolved photoelectron fine structure

〇Yuki Kumaki¹, Shigeya Naritsuka², Masaru Shimomura¹ (1.Shizuoka Univ., 2.Meijo Univ.)

Keywords:angle resolved photoelectron fine structure, GaN, photoelectron diffraction

GaN 中の C 原子は GaN の高抵抗化に寄与するため、C 原子がドープされた GaN (C-doped GaN) は電界効果トランジスタのバッファ層の材料として期待されているが、その結晶構造やドーピングの詳細については明らかにされていない。本研究では、C-doped GaNの複数の結晶モデルを検討し、角度分解光電子微細構造法(ARPEFS)のシミュレーションを行い、実験結果と比較することによって C-doped GaNの結晶構造の評価を行った。