[20p-PB2-1~18] 7 Beam Technology and Nanofabrication (Poster)

[20p-PB2-10] Effect of Tungsten Filament contained Lanthanum
on H^- Extraction from a Bernas type Ion Source

〇(M2)Masumi Kobayashi¹, Motoi Wada¹ (1.Doshisha Univ.)

Keywords:Ion Source, Bernas type

バーナス型イオン源は，半導体用の正イオンを引き出す装置である．この装置のアークチャンバの構造が，ペニング型負イオン源と同等で，体積生成で負イオンの生成・ビームの引き出しが可能であると考えられる．バーナス型負イオン源は，半導体分野での応用が期待されている．
本研究では，負イオンビームを発生させるために，バーナス型イオン源の熱陰極にランタンタングステンを使用し，水素負イオンビーム電流量の変化を調査する．