[20p-PB3-1~11] 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

[20p-PB3-9] GaAsナノ構造膜の内蔵電場制御によるテラヘルツ波放射の制御

〇丸井 雅也¹、長谷川 尊之¹、田中 義人¹ (1.兵庫県立大院物質理)

キーワード：テラヘルツ、キャリア輸送、プラズモン

n型GaAs層（厚み3 μm）の上に非ドープ GaAs層（数百 nm）をエピタキシャル成長させたナノ構造膜をフェムト秒レーザーで励起すると、非ドープ層の内蔵電場に起因した非平衡キャリア輸送およびプラズモン-フォノン結合振動が生じ、それぞれがテラヘルツ波を放射する。我々は、非ドープ層厚および試料温度を変化させ、これら2種類のテラヘルツ波放射応答の依存性の違いを調査したのでその結果について報告する。