[21a-B31-1~8] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[21a-B31-5] パルスレーザー堆積法で作製したSnO薄膜における正孔移動度の向上

〇簑原 誠人¹、菊地 直人¹、吉田 良行¹、組頭 広志^2,3、相浦 義弘¹ (1.産総研、2.高エネ研、3.東北大)

キーワード：酸化物半導体、パルスレーザー堆積法