[21a-E216-5~11] 10.3 Spin devices, magnetic memories and storages

△ [21a-E216-6] First-Principles Study on All Heusler Based Semimetal GMR Junction

〇(DC)Fumiaki Kuroda^1,4, Tetsuya Fukushima^2,3, Tamio Oguchi^1,2,3,4 (1.ISIR, Osaka Univ., 2.CSRN, Osaka Univ., 3.INSD, Osaka Univ., 4.MaDIS, NIMS)

Keywords:First-principles calculation, GMR junction

近年、高密度ハードディスクドライブやGbitクラスの磁気ランダムアクセスメモリの実現のため、高い磁気抵抗比と小さい面抵抗値を持つ巨大磁気抵抗(GMR)接合が求められている。従来の面直電流型(CPP-GMR)接合は、小さい面抵抗値をもつものの、高い磁気抵抗比は得られなかった。そこで、我々は半金属を用いた新規GMR接合について注目した。特に本研究では、第一原理計算に基づき、半金属Fe₂VAlを用いた全ホイスラー型GMR接合の界面での磁気結合とスピン依存伝導について議論した。