[21a-E301-1~13] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[21a-E301-13] TEGを用いたGaN/AlGaNヘテロ成長の2DHG側界面電荷への影響

〇松橋 泰平¹、星井 拓也¹、沖田 寛昌¹、Indraneel Sanyal²、Yu-Chih Chen²、Ying-Hao Ju²、中島 昭³、角嶋 邦之¹、若林 整¹、Jen-Inn Chyi²、筒井 一生¹ (1.東工大、2.國立中央大学、3.産総研)

キーワード：2DHG、GaN/AlGaN