[21a-E310-1~10] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [21a-E310-2] Suppression of polycrystal generation on lithium added flux for enhancement of GaN growth on Na flux point seed method

〇Kazuma Hamada¹, Takumi Yamada¹, Kosuke Murakami¹, Masayuki Imanishi¹, Masashi Yoshimura^1,2, Yusuke Mori¹ (1.Grad. sch. of Eng. Osaka univ., 2.ILE. Osaka univ.)

Keywords:GaN, Na flux method, point seed

本研究室ではNaフラックス法を用いて低転位なGaN結晶の作製に成功している。また、ポイントシード法と呼ばれる技術を用いることでさらに低転位な基板を作製することが可能である。さらなる低転位化に向けて、ポイントシードの径を小さくしたいが、径を小さくすると成長しなくなるため、Liを添加することで成長促進を促した。しかしながら、Li添加系では多結晶が発生してしまうため、今回多結晶の抑制に取り組んだ。