[21a-E310-1~10] 15.4 III-V-group nitride crystals

[21a-E310-4] Burgers vector Identifications of the annihilated dislocations in Na-flux grown GaN Substrates

〇(M2)Yu Fujita¹, Yoshiyuki Tsusaka¹, Junji Matsui², Masayuki Imanishi³, Yusuke Mori³ (1.Grad. Sch. of Material Sci. Univ. of Hyogo, 2.Syn. Rad. Nano-Tech. Lab., 3.Grad. Sch. of Eng. Osaka Univ.)

Keywords:semiconductor, GaN, dislocation

Naフラックス法で作製したGaN基板中転位を明視野X線トポグラフィにて観察した。用いた試料は二光子PL測定により、成長とともに転位が消滅することが分かっている。本研究の目的は、この消滅する転位のバーガース・ベクトル(b)を決定することである。