[21a-PA2-1~31] 6.3 Oxide electronics

[21a-PA2-22] Effects of in-situ post-annealing for crystalline structures and electrical properties of Al-doped ZnO films on the glass substrate in magnetron sputtering

〇Toshiki Suwa¹, Tadashi Nakamura¹, Kunio Okimura¹ (1.Tokai Univ.)

Keywords:transparent conductive oxide, in-situ post-annealing, magnetron sputtering

AlドープZnO薄膜(AZO)は, 低い抵抗率及び可視光領域における80%程の光透過率を有することから透明導電膜の代替材料として期待されているが, マグネトロンスパッタ成膜時における電気的特性の径方向不均一性が問題になっている. そこで本研究では, そこで本研究では, RFマグネトロンスパッタ法を用いてglass基板上にAZO薄膜を堆積させ, その後, スパッタ成膜装置内でその場アニールを行い, アニールの有無について電気的特性及び結晶構造を比較し, 検討を行なった.