[21a-PA2-1~31] 6.3 Oxide electronics

[21a-PA2-8] The effects of bottom electrodes on the epitaxial growth of YbFe₂O₄ thin films

〇Kento Shimamoto¹, Kohei Miura¹, Junpei Tanaka¹, Daisuke Kiriya¹, Takeshi Yoshimura¹, Atushi Ashida¹, Norifumi Fujimura¹ (1.Osaka Prefecture Univ.)

Keywords:RFe2O4, electronic ferroelectric, bottom electrode

RFe₂O₄(R:希土類)は、電荷のフラストレーションによって電荷秩序構造が形成する電子強誘電体である。これまでに、電界誘起物性を評価するために重要となるPt電極上にもエピタキシャル成長することを報告しているが、8%もの格子不整合によって表面平坦性などの問題が顕在化している。高い導電性とキャリア濃度、広いバンドギャップを有する透明導電性酸化物(111)ITOエピタキシャル薄膜は、六方晶YbFe₂O₄薄膜と基板間の格子不整合を狭小化(-3.5%)するバッファー層である。本発表では、(111)ITO薄膜をはじめとする下部電極がYbFe₂O₄エピタキシャル成長におよぼす影響について議論する