9:30 AM - 11:30 AM
[21a-PB1-67] Effect of Substrate Orientation on MoSe2/GaAs heteroepitaxy
Keywords:transition-metal dichalcogenides, molecular-beam epitaxy
本研究ではMoSe2と異なる対称性を持つGaAs(110)基板上において分子線エピタキシー(MBE)によるMoSe2薄膜のエピタキシャル成長を試み、MoSe2成長におよぼす基板面方位および格子整合性の影響を議論する。