[21a-PB1-1~86] 17 Nanocarbon Technology (Poster)

[21a-PB1-67] Effect of Substrate Orientation on MoSe₂/GaAs heteroepitaxy

〇Akihiro Ohtake¹, Yoshiki Sakuma¹ (1.NIMS)

Keywords:transition-metal dichalcogenides, molecular-beam epitaxy

本研究ではMoSe₂と異なる対称性を持つGaAs(110)基板上において分子線エピタキシー(MBE)によるMoSe₂薄膜のエピタキシャル成長を試み、MoSe₂成長におよぼす基板面方位および格子整合性の影響を議論する。