[21a-PB1-1~86] 17 Nanocarbon Technology (Poster)

[21a-PB1-70] MBE growth of WS₂ thin films using liquid precursors

〇(M1)Takamichi Inoue¹, Keiji Ueno¹ (1.Saitama Univ.)

Keywords:transition metal dichalcogenide, tungsten disulfide, molecular beam epitaxy

層状6族TMDCの多くはバンドギャップを持つため，半導体素子への応用が注目されている．TMDC薄膜の成長には様々な方法があるが，低温成長可能なALD法では，表面構造の直接観察は難しい．本研究では液体前駆体をMBE装置に供給し，二硫化タングステン(WS₂)薄膜の低温エピタキシャル成長を試みている．AFMやラマン分光測定では結晶性WS₂薄膜の成長が確認されているが，RHEED像は多結晶成長を示しており，現在エピタキシャル成長条件を探索している．