[21a-PB1-1~86] 17 Nanocarbon Technology (Poster)

[21a-PB1-79] Fabrication and in-plane carrier transport property for Re based TMDCs crystal

〇Fumiaki Doi¹, Noriyuki Urakami^1,2, Yoshio Hashimoto^1,2 (1.Shinshu Univ., 2.Research Initiative for supra-Materials)

Keywords:transition metal dichalcogenides

二硫化レニウム(ReS₂)と二セレン化レニウム(ReSe₂)は平行四辺形の単位構造を取り，面内の電流が特定の方向に制限される特性を持ち，歪を導入することでキャリア移動度は4,000 cm²/V sまで予測されている。封緘硫化法および封緘セレン化法で作製した結晶を別の基板上に転写し，フォトリソグラフィと電子線蒸着を用いて2端子電極を形成した。I - V特性を測定した結果，ReSe₂ – Tiでオーミック接触，ReS₂ – Auでショットキー接触を得た。