[21p-B31-1~14] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[21p-B31-9] バンドアンフォールディング法による窒素ドープβ-Ga₂O₃のバンド構造

〇太田 優一¹ (1.都産技研)

キーワード：酸化物半導体、バンドアンフォールディング、第一原理計算

バンドアンフォールディング法によって、窒素をドープした β-Ga₂O₃ のバンド構造を計算した。異なるOサイトにNを置換させることによって、それぞれ形成するアクセプタ準位に相違があることを見出した。