[21p-B31-1~14] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[21p-B31-9] Electronic band structures of N-doped β-Ga₂O₃ by band-unfolding method

〇Yuichi Ota¹ (1.TIRI)

Keywords:Oxide semiconductor, Band-unfolding, First principles calculation

バンドアンフォールディング法によって、窒素をドープした β-Ga₂O₃ のバンド構造を計算した。異なるOサイトにNを置換させることによって、それぞれ形成するアクセプタ準位に相違があることを見出した。