2019年第80回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[21p-E310-1~12] 15.4 III-V族窒化物結晶

2019年9月21日(土) 12:45 〜 16:00 E310 (E310)

小林 篤(東大)、難波江 宏一(ウシオオプトセミコンダクター(株))

15:15 〜 15:30

[21p-E310-10] サイクロトロン共鳴に向けたAlNテンプレート上AlGaN/InGaNヘテロ構造の成長

角谷 正友1、福田 清貴1,2、矢代 秀平1,2、本田 徹2、Kindole Dickson3、竹端 寛治1、今中 康貴1,3 (1.物材機構、2.工学院大、3.北大理)

キーワード:III-V族窒化物、シュブニコフドハース振動

我々はMOCVDでサファイア基板/AlNテンプレート上にInGaN薄膜を成長し、結晶性やalloy scatteringの観点から膜厚依存性を検討したところ、シュブニコフドハース振動が観測できるほど良好なInGaN薄膜とAlGaN/InGaN/GaNヘテロ構造を作製することができた。