[21p-E310-1~12] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [21p-E310-8] Adatom stability on Polar AlN Surfaces During MOVPE

〇Yuya Inatomi¹, Kangawa Yoshihiro^1,2,3, Motoaki Iwaya⁴, Hideto Miyake⁵ (1.Kyushu Univ., 2.RIAM, Kyushu Univ., 3.IMaSS, Nagoya Univ., 4.Faculty of Science and Technology, Meijo Univ., 5.Graduate School of Regional Innovation Studies, Mie Univ.)

Keywords:Nitride semiconductors, MOVPE, AlN

近年、AlNを利用した小型固体UV光源の開発が進められている。極性面AlNの表面再構成に関する理論研究は数多く存在するが、それらでは最もエネルギー的に安定な再構成表面だけを予測しており各再構成表面の相対的な安定性は評価されていない。我々は各表面構造が共存する場合の配置エントロピーの影響を考慮し、成長中の極性面AlN表面の各再構成構造の存在確率を解析した。この解析結果から表面吸着原子の相対的な安定性とそこから予測される成長メカニズムについて考察した。