[21p-N302-1~10] 6.3 Oxide electronics

[21p-N302-4] Fabrication of Cu-doped p-Fe-O / n-Fe-O thin film solar cell by electrochemical deposition

〇(M1)Ryohei Takayanagi¹, Masaya Ichimura¹, Satoshi Kobayashi¹ (1.Nagoya Inst. of technology)

Keywords:solar cell, Fe-O

酸化鉄(Ⅲ)Fe₂O₃は、2.0 ~ 2.2 eVのバンドギャップを持つn型半導体である。また、本研究室の報告により、酸化鉄に銅を添加することでp型酸化鉄薄膜半導体が作製できることが確認されていることから、本研究では、これらを用い酸化鉄の薄膜pn接合太陽電池を作製することを目的とする。堆積方法として、実験器具が単純で容易に堆積条件を変更でき、非真空で堆積が可能な電気化学堆積(ECD)法を採用した。