15:30 〜 15:45 [11p-W521-8] イオン液体ゲートを用いた遷移金属ダイカルコゲナイドトランジスタにおけるデバイスシミュレータの開発 〇植田 暁子1、張 奕勁2,3、佐野 伸行4、今村 裕志1、岩佐 義宏5 (1.産総研、2.大阪大工、3.マックスプランク研、4.筑波大電物、5.東大工)