16:00 〜 18:00 [9p-PA4-11] CuとNiSiを用いた抵抗変化型不揮発性メモリ 〇仲山 広記1、塚本 貴広2、雑賀 章浩3、加藤 格3、鮫島 俊之1、須田 良幸1 (1.東京農工大院工、2.電気通信大、3.東京高専)