09:30 〜 11:30 [9a-PB3-15] SiC-MOSFETのアニール処理によるパワーサイクル試験耐性の向上 〇鈴木 達広1、山下 真理1、児嶋 伸夫1、谷本 智1,2、赤津 観2 (1.日産アーク・パワエレ解析室、2.芝浦工大・SIT総研)