11:00 〜 11:15 [11a-M121-8] 水素イオン注入n-GaNに導入される正孔トラップの評価 〇(M1)田村 和也1、伊豫田 健1、徳田 豊1、塩島 謙次2、伊藤 成志3、八木 孝秀3 (1.愛知工大、2.福井大院、3.住重アテックス)