三宅亮太郎

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発表者・著者、共著者

2019年3月10日(日) 13:45 〜 18:15 W641 (W641)

一般セッション(口頭講演)
| 6 薄膜・表面
| 6.3 酸化物エレクトロニクス

[10p-W641-1~17] 6.3 酸化物エレクトロニクス

16:45 〜 17:00

△ [10p-W641-12] TiO_2-xエピタキシャル薄膜を用いた４端子メモリスタ素子の抵抗変化特性

〇三宅亮太郎¹、藤平哲也¹、酒井朗¹ (1.阪大基礎工)