16:45 〜 17:00 [11p-W521-12] 単層MoS2/h-BN/Graphiteへの絶縁膜堆積による界面準位の増加 〇豊田 哲史1、方 楠1、谷口 尚2、渡邊 健司2、長汐 晃輔1 (1.東大工、2.物材機構)