17:45 〜 18:00 [11p-W541-16] MOCVDによる高密度(> 1×1011 cm-2)GaN/AlGaN量子ドットの形成 〇有田 宗貴1、梅 洋1,2、荒川 泰彦1 (1.東大ナノ量子機構、2.厦門大)