14:15 〜 14:30 △ [11p-S011-3] ミストCVD法を用いたvan der Waals epitaxyによるフレキシブルなε-Ga2O3薄膜のエピタキシャル成長 〇(M1)新田 悠汰1、田原 大祐1、西中 浩之1、吉本 昌広1 (1.京工繊大)