14:00 〜 14:15 △ [12p-M111-3] CMOSイメージセンサ向け分子イオン注入エピタキシャルウェーハの製品特性(II)–CH4Nイオン注入エピタキシャルウェーハの基礎特性– 〇鈴木 陽洋1、門野 武1、廣瀬 諒1、奥山 亮輔1、柾田 亜由美1、重松 理史1、小林 弘治1、古賀 祥泰1、栗田 一成1 (1.株式会社SUMCO)