13:30 〜 15:30 [11p-PA4-2] GaInSbチャネルHEMT構造のゲート・チャネル間距離パラメータが電気的特性に与える影響 〇岸本 尚之1、遠藤 勇輝1、林 拓也1、平岡 瑞穂1、町田 龍人1、遠藤 聡1、藤代 博記1 (1.東理大)