Shunsuke Komori

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発表者・著者、共著者

2019年3月12日(火) 09:00 〜 10:30 M101 (H101)

一般セッション(口頭講演)
| 10 スピントロニクス・マグネティクス
| 10.3 スピンデバイス・磁気メモリ・ストレージ技術

[12a-M101-1~6] 10.3 スピンデバイス・磁気メモリ・ストレージ技術

10:15 〜 10:30

▼ [12a-M101-6] Effect of Magnetic Domain Structure on Noise Property in Magnetic Tunnel Junction Based Sensor

〇(M1C)Shunsuke Komori¹、Kosuke Fujiwara²、Mikihiko Oogane¹、Masakiyo Tsunoda¹、Seiji Kumagai²、Yasuo Ando¹ (1.Tohoku Univ.、2.SSF)