16:15 〜 16:30 △ [10p-W351-6] 横型Siナノワイヤ熱電変換デバイスにおけるSiO2絶縁膜/Si基板の最適厚さ設計 〇富田 基裕1、松川 貴2、松木 武雄1,2、渡邉 孝信1 (1.早大理工、2.産総研)