14:15 〜 14:30 [12p-M101-6] 希薄磁性半導体超格子GaGdAs:Si/GaAsの PL測定によるフェルミ面位置の推定と磁気特性 〇高藤 誠1、加藤 昇1、船曳 晃弘1、吉田 萌1、宮川 勇人1、狭間 優治2、秋山 英文2 (1.香川大工、2.東京大物性研)