09:30 〜 11:30 [9a-PB3-13] MGy領域における4H-SiC JFETのガンマ線照射効果 〇武山 昭憲1、清水 奎吾2、牧野 高紘1、山﨑 雄一1、大島 武1、黒木 伸一郎3、田中 保宣2 (1.量研、2.産総研、3.広島大学ナノデバイス)