11:00 〜 11:15 [11a-S422-6] ALE法で意図的にN分布を変化させたGaAsN薄膜の電気特性の測定温度依存性 〇(D)河野 将大1、上田 大貴1、峰松 遼1、原口 智宏1、鈴木 秀俊1 (1.宮崎大工)