10:15 〜 10:30 [10a-W521-6] 横型グラフェントンネルダイオードにおけるゲート電界効果の解析 〇志賀 佳菜子1、菅原 健太2、佐藤 昭2、吹留 博一2、尾辻 泰一2、内野 俊1 (1.東北工大、2.東北大通研)