10:15 〜 10:30 [11a-M121-6] 電子線照射によりホモエピタキシャル成長n型GaN中に形成される深い準位の低温における挙動 〇遠藤 彗1、堀田 昌宏2,3、須田 淳2,3 (1.名大工、2.名大院工、3.名大未来研)