09:00 〜 09:30
〇鄭 宇進1 (1.浜松ホトニクス)
一般セッション(口頭講演)
3 光・フォトニクス » 3.5 レーザー装置・材料
2019年3月10日(日) 09:00 〜 12:15 W834 (W834)
△:奨励賞エントリー
▲:英語発表
▼:奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄:どちらもなし
09:00 〜 09:30
〇鄭 宇進1 (1.浜松ホトニクス)
09:30 〜 09:45
〇(M2)Hejie Yan1,2、Gao Yuan1,2、Jui-Hung Hung2、Kazuo Sato2、Hirohito Yamada2,1、Hiroyuki Yokoyama1,2 (1.Tohoku univ.、2.NICHe, Tohoku univ.)
09:45 〜 10:00
〇Yuan Gao1、Jui-Hung Hung2、He-Jie Yan1、Kazuo Sato2、Hirohito Yamada1,2、Hiroyuki Yokoyama1,2 (1.Tohoku Univ.、2.NICHe,Tohoku Univ.)
10:00 〜 10:15
〇土橋 一磨1、星 正幸1、今井 浩一1、廣橋 淳二1、牧尾 諭1 (1.オキサイド)
10:15 〜 10:30
〇(D)Zheyuan Zhang1、Yuanjun Zhu1、Pengtao Yuan1、Hongbo Jiang1、Zihao Zhao1、Fulin Xiang1、Lei Jin1、Sze Yun Set1、Shinji Yamashita1 (1.Tokyo Univ.)
10:45 〜 11:00
〇戸倉川 正樹1、相楽 啓1 (1.電通大、レーザー研)
11:00 〜 11:15
〇渡邉 建太1、周 英2、斎藤 毅2、榊原 陽一2、西澤 典彦1 (1.名大院工、2.産総研)
11:15 〜 11:30
〇梶川 詠司1、石井 知広1、久保 貴志1、武者 満1、小川 和彦2 (1.電通大レーザー研、2.ファイバーラボ)
11:30 〜 11:45
〇菅 颯人1、山中 真仁1、西澤 典彦1 (1.名大院工)
11:45 〜 12:00
〇合谷 賢治1、上原 日和1、小西 大介2、村上 政直2、時田 茂樹1 (1.阪大レーザー研、2.三星ダイヤモンド工業(株))
12:00 〜 12:15
〇上原 日和1、合谷 賢治1、時田 茂樹1、韓 冰羽1、Andrey Pushkin2、Migal Ekaterina2、Fedor Potemkin2 (1.阪大レーザー研、2.モスクワ大)
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