一般セッション(口頭講演)
6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス
2019年3月11日(月) 09:00 〜 11:45 W641 (W641)
△：奨励賞エントリー
▲：英語発表
▼：奨励賞エントリーかつ英語発表
空欄：どちらもなし
09:00 〜 09:15
〇(M1)平野 雅也1、石丸 大智1、伊藤 賢哉1、森田 廣1 (1.山口東京理科大工)
スケジュール
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09:15 〜 09:30
〇柵木 光1、宮内 勇人1、Shivaji B. Sadale2、野田 啓1 (1.慶應大理工、2.シバジ大学)
スケジュール
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09:30 〜 09:45
〇(M1)Jiaxin Chen1、Hang Zhou1、Munetoshi Seki1、Hitoshi Tabata1 (1.University of Tokyo)
スケジュール
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09:45 〜 10:00
〇今関 大輔1、西尾 和記1、中村 直人1、清水 亮太1,2、一杉 太郎1 (1.東京工業大学、2.JST さきがけ)
スケジュール
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10:00 〜 10:15
〇橘田 晃宜1、倉谷 健太郎1 (1.産総研)
スケジュール
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10:30 〜 10:45
〇中山 亮1、西尾 和記1、中村 直人1、清水 亮太1,2、一杉 太郎1 (1.東工大物質理工、2.JST-さきがけ)
スケジュール
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10:45 〜 11:00
〇金澤 翔吾1、馬場 友章1、神野 伊策1 (1.神戸大工)
スケジュール
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11:00 〜 11:15
〇小林 成1、清水 亮太1,2、渡邊 佑紀1、西尾 和記1、一杉 太郎1 (1.東工大物質理工、2.JST さきがけ)
スケジュール
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11:15 〜 11:30
〇西尾 和記1、白澤 徹郎2、清水 康司3、中村 直人1、渡邊 聡3、清水 亮太1,4、一杉 太郎1 (1.東工大物質理工、2.産総研、3.東大工、4.さきがけ)
スケジュール
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11:30 〜 11:45
〇渡邉 佳孝1、浅野 哲也1、藤井 茉美1、Juan Paolo Bermundo1、石河 泰明1、浦岡 行治1、足立 秀明1 (1.奈良先端大)
スケジュール
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