一般セッション(口頭講演)
6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス
09:00 〜 09:15
〇(M1)山科 直也1、高津 浩1、黒木 和彦2、越智 正之2、陰山 洋1 (1.京大工、2.阪大理)
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09:15 〜 09:30
〇田中 淳平1、三浦 光平1、桐谷 乃輔1、吉村 武1、芦田 淳1、藤村 紀文1 (1.阪府大工)
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09:30 〜 09:45
〇神永 健一1、岡 大地2、岡 博文1、福村 知昭1,2,3,4 (1.東北大WPI-AIMR、2.東北大院理、3.東北大CSIS、4.東北大CSRN)
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09:45 〜 10:00
〇山原 弘靖1、Sarkar Md Shamim1、鈴木 雄大1、関 宗俊1、田畑 仁1 (1.東大院工)
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10:15 〜 10:30
〇片山 司1、真柄 健斗1、毛 司辰1、倉内 裕史1、近松 彰1、長谷川 哲也1 (1.東大)
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10:30 〜 10:45
〇高橋 竜太1,2、李 智蓮1、リップマー ミック1 (1.東大物性研、2.JSTさきがけ)
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10:45 〜 11:00
Zetao Zhu1、高橋 綱己1、細見 拓郎1、長島 一樹1、金井 真樹1、〇柳田 剛1 (1.九大先導研)
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11:00 〜 11:15
〇(DC)相馬 拓人1、吉松 公平1、堀場 弘司2,3、組頭 広志2,3、大友 明1,3 (1.東工大物質理工学院、2.KEK-PF、3.元素戦略)
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11:15 〜 11:30
〇山中 天志1、服部 梓1,2、服部 賢3、大門 寛3、田中 秀和1 (1.阪大産研、2.JSTさきがけ、3.奈良先端大)
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